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Semiconductor Devices,Physics
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2009-07-22
cnipsse
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半导体器件物理与工艺的主要内容：
第一章 能带与载流子浓度
第二章 载流子输运现象
第三章 p-n结
第四章 双极型器件
第五章 单极型器件
第六章 微波器件
第七章 光电子器件
第八章 晶体生长与外延
第九章 氧化与薄膜淀积
第十章 扩散与离子注入
第十一章 光刻——图形曝光与刻蚀
第十二章 集成器件
第一章 能带与载流子浓度
第二章 载流子输运现象
第三章 p-n结
第四章 双极型器件
第五章 单极型器件
第六章 微波器件
第七章 光电子器件
第八章 晶体生长与外延
第九章 氧化与薄膜淀积
第十章 扩散与离子注入
第十一章 光刻——图形曝光与刻蚀
第十二章 集成器件
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