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随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应
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2009-10-31
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随机静态存储器低能中子单粒子翻转效应:建立了中子单粒子翻转可视化分析方法，对不同特征尺寸（０．１３～１．５０μｍ）ＣＭＯＳ工艺商用随机静态存储器（ＳＲＡＭ）器件开展了反应堆中子单粒子翻转效应的实验研究，获得了ＳＲＡＭ 器件的裂变谱中子单粒子翻转截面随特征尺寸变化的变化趋势。研究结果表明：ＳＲＡＭ 器件的特征尺寸越小，其对低能中子导致的单粒子翻转的敏感性越高。
关键词： 随机静态存储器； 低能中子； 单粒子效应； 反应堆； 特征尺寸； 临界电荷
关键词： 随机静态存储器； 低能中子； 单粒子效应； 反应堆； 特征尺寸； 临界电荷
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