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MOS管损毁原因总结
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2017-06-19
zhang983532441
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MOS管损毁原因总结
1、在电源电压方面
1）、过流-------持续大电流或瞬间超大电流引起的结温过高而烧毁；
2）、过压-------源漏过压击穿、源栅极过压击穿；
3）、静电-------静电击穿。CMOS电路都怕静电；
2、在MOS管电源电压方面
1）、漏源电压过大，MOS管烧坏。现象：MOS管D、S两端短路；
2）、漏源电流过大，MOS管烧坏。现象：MOS管D、S两端短路；
3）、栅源电压过大，MOS管烧坏。现象：MOS管G、D、S短路；
3、其他方面
1）、堵转会使电机感应电动势升高，使电机电流大增过流保护太迟钝；
2）、同时导通；
3）、功率过大；
4）、散热不足；
5）、频率太高；
6）、MOS管内阻未充分考虑，导致开关阻抗增大；
4、会对MOS管造成的影响
1）、MOS管吸附灰尘，改变线路间的阻抗，影响MOS管的功能和寿命。
2）、因电场或电流破坏元件绝缘层和导体，使MOS管不能工作（完全破坏）。
3）、因瞬间的电场软击穿或电流产生过热，使MOS管受伤，虽仍能工作，但是寿命受损。3
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29495279161042
2019-09-29
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