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MOS 电容器大纲
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2009-11-17
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MOS 电容器大纲
·通告：
下发资料
讲稿大纲和摘要
下周三复习课将进行测验
·定性描述：-热平衡状态下的金属氧化物半导体
结构定义：金属/二氧化硅/p 型（例子：n-MOS）
金属和硅有关的静电势：m
零偏的情况：如果：m > pSi，
硅表面耗尽
反向偏置：从耗尽到平带到积累
正向偏置：耗尽到临界到反型层
·定量模型：热平衡状态下的金属氧化物
耗尽近似法应用于S电容器
平带电压：VFB
积累层电荷密度：qA*
最大耗尽宽度XDT
开启电压：VT
反型层电荷密度：qN*
·偏置金属氧化物半导体在临近区域的应用
耗尽层的宽度
开启电压的影响
·通告：
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讲稿大纲和摘要
下周三复习课将进行测验
·定性描述：-热平衡状态下的金属氧化物半导体
结构定义：金属/二氧化硅/p 型（例子：n-MOS）
金属和硅有关的静电势：m
零偏的情况：如果：m > pSi，
硅表面耗尽
反向偏置：从耗尽到平带到积累
正向偏置：耗尽到临界到反型层
·定量模型：热平衡状态下的金属氧化物
耗尽近似法应用于S电容器
平带电压：VFB
积累层电荷密度：qA*
最大耗尽宽度XDT
开启电压：VT
反型层电荷密度：qN*
·偏置金属氧化物半导体在临近区域的应用
耗尽层的宽度
开启电压的影响
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