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多重曝光技术分析
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2017-09-12
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自戈登·摩尔于1965年提出关于每平方英寸集成电路上的晶体管数量翻倍的著名论断以来，半导体行业似乎一直都在不断突破物理定律的掣肘，以便能跟上这一节奏。而光刻工艺行业尤为如此。图1显示了一份光刻因子k1的图表，该因子与所绘临界尺寸及透镜系统的数值孔径成正比，与系统中所用的光波波长成反比。随着晶圆上所刻尺寸的减小，k1因子急剧减小。k1因子越小，图像质量越差。当k1因子指标降至约0.6以下时，图像质量将变得很差，以致无法提供良品电路。如果我们仍继续使用436nmg-line光刻设备，那么业内将永远无法突破1um的特征尺寸。
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