NAND Flash 是当今市场上最主要的非易失大容量闪
存。1989 年, 东芝公司发布了 NAND Flash 结构, 强调降低
每比特的成本及更高的性能, 并且像磁盘一样可以通过接
口轻松升级。NAND 结构能提供极高的存储密度和容量( 目
前单片最大容量可达 32G 位) , 并且写入和擦除的速度也
很快。NAND Flash 由于其具有非易失性、电可擦除性、可重
复编程以及高密度、低功耗等特点, 而被广泛应用于 U 盘,
MP3 和数码相机等嵌入式数字存储设备当中。
采用 Flash 介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性,
包括寿命、位交换和坏块处理三个方面。NAND Flash 在每
个页面( page) 中提供了足够的用于存储校验码的辅助存储
区( Spare Area) , 对于主存储区( Main Area) 长度为 512 字节
的小页面( Small Page) , 其辅助存储区大小为 16 字节; 对于
主存储区( Main Area) 为 2048 字节的大页面( Large Page) ,
其辅助存储区大小为 64 字节。辅助存储区可用来存放 ECC
(Error Checking & Correction)、ECC 有效标志、坏块标志等。
所有这些决定了基于 NAND 的存储系统设计需要处理不
同于其它类型闪存的特有问题。
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