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瑞斯特RSTD2080-RST 20V/80A 超低内阻MOSFET技术解析
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2026-05-08
jf_08590579
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在追求极致能效与小型化的现代电力电子系统中，功率MOSFET的导通损耗与热管理始终是制约系统性能的核心瓶颈。瑞斯特（RSTTEK）针对大电流应用场景推出的RSTD2080-RST型N沟道功率MOSFET，凭借其TO-252-2（DPAK）封装、20V耐压、高达80A的持续漏极电流以及仅4.5mΩ的超低导通内阻（RDS(ON)），成功在低压大电流领域树立了全新的性能标杆，为高功率密度应用提供了极具竞争力的解决方案。
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