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晶体硅太阳能电池的光衰减机制和技术的改进措施解析
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介绍了近年来对掺硼晶硅 （Cz2Si 和 mc2Si） 太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究结果。通过光照及退火处理前后少子寿命变化的研究以及光衰减与硼和氧浓度关系的研究 ，表明引起掺硼晶硅太阳电池光照衰减的主要因素是硼和间隙氧的存在。同时介绍了减小或避免衰减的技术措施。
晶硅太阳电池一直占据着光伏市场的主导地位［ 1 ］ 。2000年光伏工业和市场中的硅材料占 99. 6 % ，CdTe 占 0. 4 %。其中体晶硅材料 84. 2 % ，带硅和薄层硅（多晶硅） 6 % ，非晶硅 9. 4 %。为降低光伏组件成本的各种努力中 ，晶硅材料的基础研究具有重要意义。其中重要 1 例就是近年来对掺硼晶硅 （Cz2Si 和 mc2Si） 太阳电池的光照衰减问题及衰减机制的研究。掺硼 Cz2Si 太阳电池的光衰减问题是由 Fischer 和 Pschunder 在 1973 年发现的［ 2 ］ 。图 1 表示 1Ωcm 掺硼 Cz2Si 电池的最大输出功率 Pm、短路电流 Isc和开路电压 Voc在光照后的衰减和 200 ℃以上退火处理的恢复情况。可以看出光照使电池性能不断衰减 ，最后达到饱和值 ;退火处理又使电池性能得到完全恢复。在相当长一段时间内 ，Cz （掺硼） 硅电池的这种光衰减和退火恢复的机制一直没有解决。
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