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智能电源IC及高能效功率电子技术的发展介绍
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2017-11-13
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随着时间的推移，功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小，功率密度越来越高。在电压高于 1 kV 的大功率晶体管方面，双极结构已成为首选；低于 1 kV 电压，特别是频率高于 100 kHz 时，更多采用的是 MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择 IGBT。
开发这类器件的主要挑战在于，在开关频率持续上升时，需要通过减小由导通阻抗导致的导电损耗、降低内部电容，以及改善反向恢复性能，将内部损耗降到最低。由于击穿电压更高及未钳位开关特性（UIS）的缘故，提升击穿强固性也非常重要。
功率器件更加智能
智能电源 IC （Smart power IC）是一种在一块芯片上将“智能”和“电源”集成起来的全新器件。它广泛应用于包括电源转换器、马达控制、荧光灯整流器、自动开关、视频放大器、桥式驱动电路以及显示驱动等多个领域。
封装技术潜力无限
当前功率半导体封装的主要趋势是增强互连，包括旨在降低阻抗/寄生效应的晶圆级技术，以及增强型片上散热。厚铜、金或铝线邦定、缎带（ribbon）/封装黏着（clip bonding） ，以及功率优化的芯片级封装（CSP），也在增强裸片与外部电极之间的电阻连接效率。图 1 显示了封装技术的演进。
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