PDMA图样分割多址接入技术的基本原理及技术框架-电子发烧友网

　　多址接人技术对于蜂窝移动通信系统具有重要意义，是一个系统信号的基础性传输方式。在1G~4G系统中分别采用FDMA、TDMA、CDMA和OFDMA作为主要多址接人方式，其特点是用户通过正交的资源分配，使得接收端信号检测复杂度降低。为了满足SG高频谱效率和高连接数目的需求，可以考虑采用多个用户在相同资源上重叠发送，即采用非正交多址接入方式，在接收端采用更复杂的检测算法来实现用户的正确检测。非正交多址接人技术的引入，来源于器件的进步和非线性检测技术的发展。理论上，基于串行干扰抵消的非线性多用户检测，无论在上行还是下行，都能够达到Shannon容量的极限。

　　图样分割多址接人（ Pattern Division Multiple　Access，PDMA）技术，是电信科学技术研究院在早期SIC Amenable Multiple Access（ SAMA）研究基础上提出的新型非正交多址接人技术，它基于发送端和接收端的联合设计，在发送端，在相同的时频域资源内，将多个用户信号进行功率域、空域、编码域的单独或联合编码传输，在接收端采用串行干扰抵消接收机算法进行多用户检测，做到通信系统的整体性能最优。

PDMA图样分割多址接入技术的基本原理及技术框架

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。举报投诉

PDMA图样分割多址接入技术的基本原理及技术框架

OFDM技术基本原理介绍

3G技术基本原理

遗传算法的基本原理 基于遗传算法的图像分割

移动通信网络规划：多址技术

PWM技术的基本原理

5G空口关键技术介绍

PN结的基本原理及教程

步进马达基本原理

电磁炉基本原理图下载

直流电源系统基本原理

数模和模数转换的基本原理PPT课件下载

开关电源的基本原理及组成、不同技术综述

多模态MR和多特征融合的GBM自动分割算法

逆变电路的基本原理与应用

MIMO基本原理及空时处理技术

基于非正交多址接入的MIMO系统功率分配

神经网络的基本原理

ABB变频器的基本原理和应用

PID调节及PID调节的基本原理

BP神经网络基本原理简介

5G接入原理、常见问题及解决措施课件下载

LTE基本原理和关键技术介绍

面向5G的非正交多址接入技术NOMA详细资料分析

应用在5G上的非正交多址接入技术NOMA的详细分析

后5G时代的非正交多址技术详细资料概述

NB-IoT的基本原理及与eMTC的详细对比说明

5G网络非正交多址接入的研究现状与发展趋势资料说明

立体声解码器的基本原理技术文档分享

面向5G的非正交多址接入下行链路接收机仿真

电力线通信技术的基本原理及其数字通信技术的上网研究

无线充电技术的基本原理和应用领域

复用和多址技术详解

射频技术的基本原理、分类及应用

天线多模谐振技术的基本原理是什么

深度学习框架连接技术

5G基本原理及关键技术详细介绍

8.1.6 功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.4 比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3.4 电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.1.1 阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

非正交多址是什么 非正交多址技术有哪些

6.5 总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.3 p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.2 n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.1.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.1.2 SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.7 迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.2.1 寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.3 p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.1 选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.3 湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.2 氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.5 高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.1 反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.2 高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

射频技术rf的基本原理是什么

电池管理技术的安全保护基本原理

下载排行榜

电感技术讲解

LVGL开发指南介绍

AD18学习笔记

H桥中的电流感测

电机驱动器电路板布局的最佳实践

TPS55288布局指南

遗传算法的基本原理基于遗传算法的图像分割

非正交多址是什么非正交多址技术有哪些