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双芯片磁性位置传感器中堆叠芯片和并排芯片实施方案之间的比较

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:1.26MB | 2024-09-26

李春梅

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TMAG5170D 等霍尔效应传感器可用于电子换挡器等角度检测系统,在此类系统中,需要为关键系统运行实现冗 余。本文档分析了与双芯片并排放置的实施方案相比,TMAG5170D 中双芯片堆叠实施方案的优势。
在电子换挡器 (E-shifter) 应用中使用霍尔效应传感器时,可以通过多种方法来实现检测相对换挡杆位置的系统目 标。图 1-1 所示为可探索的两种电子换挡器方法。对于这两种方法,可能需要双芯片感应设计来实现冗余,这对 于经常有功能安全要求的汽车应用来说并不少见。对于冗余系统,最好使用两个单独的传感器来测量相同的结 果。但这种类型的冗余通常无法实现,因为两个不同的传感器必须占据空间中的两个不同位置。本文档探讨了可 用于双芯片传感器的不同霍尔元件放置方式,并说明了与 TMAG5170D-Q1 类似的器件如何布置两个芯片以减少 冗余系统中所需测量值差异。为证实上述说法,我们来完成以下方法的设计过程,然后显示绝对误差、计算角度 差的标准偏差以及组装过程中可能发生的各种机械误差的计算角度的最大差异。

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