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从具有高频可控精度的半桥中获得最大功率
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2024-10-14
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为了防止高端和低端fet同时导通，当两个fet都关断时，在每个开关转换之间使用死区时间。不适当的死区时间会造成突穿，使电源对地短路，从而使fet发热并降低效率。最快的GaN半桥设计必须具有可控的死区时间以保持高效率。提高开关频率有助于减小解决方案的尺寸，但如果死区时间占开关频率的百分比没有减少，则会增加两个fet都关断的总时间。栅极驱动器是离FET最近的接触点，必须是死区时间的控制器。本应用笔记探讨LMG1210的精密死区控制电路如何帮助最大限度地降低死区损耗，并保护半桥设计中的高端FET。
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