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基于IGBT集电极漏电健康状态监测
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2018-01-16
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提出一种采用IGBT集电极漏电流对其芯片性能退化进程进行监控的健康状态监测方法。基于IGBT基本结构、半导体物理和器件可靠性物理学，对IGBT电气特征量一一集电极漏电流的产生机理、运行规律与性能退化机理进行详细分析，查明了其随性能退化应力水平和施加时间的变化规律。在此基础上，通过将理论分析与解析描述相结合，建立针对IGBT芯片性能退化的集电极漏电流健康状态监测方法。仿真和实验结果验证了该方法的正确性与准确性。该方法对于实现IGBT芯片性能退化进程监控具有一定的理论意义和应用价值。
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