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复杂多腔体电磁串扰屏蔽效能的解析研究
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2018-04-24
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在复杂多腔体的金属屏蔽体中，紧凑相邻腔体之间的电磁串扰属于近场干扰，会对内部放置的电路板或元器件造成影响。利用数值计算方法研究此类问题时，往往需要占用大量的存储资源且计算效率较低。针对此问题，利用电磁拓扑理论和推广的Baum-Liu-Tesche（ BLT）方程，考虑一个内置电路板的多腔金属屏蔽体，其相邻腔体之间金属隔板上的开孔用导电材料进行封堵，针对相邻空间的近场电磁串扰，构建计算屏蔽效能的解析模型。利用该模型分析导电材料电导率大小、激励源位置、电路板厚度和位置以及数量对屏蔽效能的影响。研究结果表明，该模型的计算结果与CST的仿真结果有很好的一致性，验证了本模型的准确性和适用性，相比于数值计算方法不仅节省了计算时间和存储资源，而且还能用于屏蔽效能规律的研究。
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