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中低压MOS管MDDG04R06Q数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:7.09 MB | 2025-07-10

MDD辰达半导体

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最大导通电阻 RDS(on) = 5.5 毫欧（VGS = 10 伏特，ID = 20 安培）  
100% 雪崩测试通过  
100% dVDS 测试通过

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