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中低压MOS管MDDG10R08G数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:4.78 MB | 2025-07-10

MDD辰达半导体

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这款N沟道MV MOSFET采用MDD半导体先进的沟槽型功率工艺制造，该工艺整合了屏蔽栅极技术。该工艺经过优化，可最大限度降低导通电阻，同时保持卓越的开关性能，并具备业界领先的软体二极管特性。

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