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中低压MOS管MDDG06R02G数据手册

消耗积分:0 | 格式:pdf | 大小:6.55 MB | 2025-07-10

MDD辰达半导体

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最大导通电阻RDS(on) = 2.5毫欧（VGS = 10伏特条件下，ID = 35安培时测得）

极低反向恢复电荷Qrr

100% UIS测试通过

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