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通信电源发展综述
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2010-03-01
王艳
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本文简要介绍通信用整流器发展过程、器件发展对电路的影响、当前电路方案、移相桥的改进、砚电乎变换器、只相单管及二管功率因数校正、单级整流器等。
通信电源整流器变换器功率因数校正综述
MO SF ET 与IGBT在向高电压、大电流、低通态电阻或压降、快速(低栅荷)、开关管内反向并联快速二极管或肖特基(Schottky)二极管等多方向发展，例如:MOSFET单管有1200V, 32A, 0.35。的，IGBT单管有1700V, 72A, 3.3 0的，还有高达2500V的，可用于二相380V直接输人的电路，提供了电路发展的机会，可研制出三相有一个开关管操作的整流器。又如600V,40A的快速IGBT通态压降2V，关断延时时间200ns,电流下降时间200ns;相应的500V,44 A快速MOSFET通态电阻0.12 S1，关断延时时间53ns,电流下降时间8ns。可见快速MOSFET比快速1GBT的关断速度仍然快许多倍，可减小电路的关断损耗将低压的MOSFET与低压的(正向压降小的)肖特基二极管封装在一起，
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