×

IN GAN太阳能电池材料电学与光学性质的辐射研究

消耗积分:5 | 格式:rar | 大小:333 | 2010-03-05

分享资料个

摘要：研究表明，Ｉｎ１－ｘＧａｘＮ合金材料的能隙能连续地从０?７ｅＶ改变到３４ｅＶ，使得该材料有可能成为太阳能全光谱材料系．研究发现这些合金材料的电学特性表现出用高能质子（２ＭｅＶ）照射比当前常用的太阳能光伏材料如
ＧａＡｓ和ＧａＩｎＰ有更高的电阻，因此，给受到强辐射的太阳能电池提供了巨大应用潜力．实验观察到这种材料对辐照损伤具有不敏感的特征，该特征可用带边局域的平均振荡结合缺陷能给予解释．该缺陷能用Ｉｎ１－ｘＧａｘＮ合金
的Ｆｅｒｍｉ能级的稳态能描述．
关键词：太阳能电池；ＩｎＧａＮ；辐照损伤；光致发光；Ｆｅｒｍｉ能级
下载并关注上传者 低至0.43元/天 开通VIP 免费下载

声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。 举报投诉

评论(0)
发评论

下载排行榜

全部0条评论

快来发表一下你的评论吧 !