13001 pdf,13001三极管资料:TO-251 Plastic-Encapsulate Transistors
3DD13001 TRANSISTOR( NPN )
FEATURES
Power dissipation
PCM : 1.2 W(Tamb=25℃)
Collector current
ICM : 0.2 A
Collector-base voltage
V(BR)CBO : 600 V
Operating and storage junction temperature range
TJ,Tstg: -55℃ to +150℃
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