微米NAND闪存设备包括用于高性能I/O操作的异步数据接口。这些设备使用高度复用的8位总线(DQX)来传输命令、地址和数据。实现异步数据接口的控制信号有五种:CE、C、CLE、ALE、WE、RE等。附加信号控制硬件写保护(WPγ)和监视器设备状态(R/Bα)。
该微米NAND闪存器件还包括用于高性能I/O操作的同步数据接口。当同步接口处于激活状态时,我们变成CLK,RE变成W/R。数据传输包括双向数据选通(DQS)。
这个硬件接口创建一个低引脚计数设备与标准引脚,从一个密度到另一个保持不变,使未来升级到更高的密度,没有板重新设计。
目标是由芯片使能信号访问的存储器单元。目标包含一个或多个NAND闪存芯片。NAND闪存芯片是可以独立执行命令和报告状态的最小单元。在ONFI规范中,NAND闪存芯片被称为逻辑单元(LUN)。
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