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SanDisk 3D NAND闪存设备的资料概述
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2020-01-28
witdust
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SanDisk 3D NAND Flash:Gen3 X3 128Gb存储设备包含一个128Gb的48针TSOP封装。所有可能的配置可能不可用。有关当前零件号的列表，请参见第0页的“市场营销零件号”，以及第3页的图1了解零件号解码。此设备支持DDR1的切换模式接口速度高达100 MHz（200 Mbps），DDR2最高支持266 MHz（533 Mbps）。切换模式是高性能应用程序的NAND闪存接口，支持数据选通（DQS）信号上升和下降沿上的数据输入（DIN）和数据输出（DOUT）操作。切换模式NAND实现了与传统SDR（传统模式）NAND支持的命令向后兼容的“双数据速率”操作，并基于高速切换模式接口提供了高数据传输速率。差分模式下使用DDR、QSREN（QSREN）信号。单端信号DQS和REn用于DDR1切换模式。注：从这一点开始：•传统的SDR（单数据速率）操作将简称为“SDR”。•单级单元（SLC）和三级单元（TLC）操作通常由各自的首字母缩略词SLC和TLC来表示。术语每单元三比特（3bpc）也可以出现，并且可以与TLC互换使用。
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