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功率MOSFET(PowerMOSFET)的基本知识
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2010-06-07
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自1976年开发出功率MOSFET以来，由于半导体工艺技术的发展，它的性能不断提高：如高压功率MOSFET其工作电压可达1000V；低导通电阻MOSFET其阻值仅lOmΩ；工作频率范围从直流到达数兆赫；保护措施越来越完善；并开发出各种贴片式功率MOSFET(如Siliconix最近开发的厚度为1.5mm“LittleFoot系列)。另外，价格也不断降低，使应用越来越广泛，不少地方取代双极型晶体管。
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