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如何使用LDMOS晶体管器件进行F类功率放大器设计
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本文设计了一种工作在1.8GHz 的F 类功率放大器，使用LDMOS 晶体管作为有源器件以便产生高功率和高效率。F 类放大器通过对不同的谐波进行调谐来峰化漏极电压和电流的波形，漏极电压波形包含一个或更多的奇次谐波可近似为方波，同时电流包含偶次谐波可近似为半个正弦波，来同时做到高输出功率和高效率。仿真证明该放大器可以达到12W以上的输出并且效率在70%以上超过同等输出功率的AB 类放大器。
在射频功率放大器设计中，低失真与高效率是难以兼得的两项指标，设计者必须做出取舍，失真低就不得不舍弃效率，如果要求高效率那么失真就会相应增大。AB 类放大器一般应用于对频谱效率有高要求的系统里，可以提供一定的线性度和效率。
高效率功放既能减少直流消耗降低成本又可以增加器件的使用寿命，实现高效率功放有很多不同的技术，包括D 类，E 类，F 类和逆F 类。其中F 类功放在各种文献中均有成功实现的报道。F 类功放比起E 类可以工作在更高的频率并且可以做到和AB 类几乎相当的线性度同时效率可以比AB 类提高10%-15%。
本文给出了一种基于当今发展迅速的LDMOS 器件的F 类功放，通过输出端谐波控制可以在L 频段同时做到高输出功率和高效率。谐波控制主要是利用四分之一波长传输线和一个串联的谐振电路。在设计中主要以高效率为主，线性度为次要。此种功放可以应用于对线性度没有特殊要求的通信系统中，同时配合其他线性化技术，例如Doherty 技术或包络分离和恢复技术（EER），以满足具有复合调制信号的无线系统的特殊要求。
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