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TC001B和TC001C芯片的应用说明
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本文档的主要内容详细介绍的是TC001B和TC001C芯片的应用说明。
一、TC001C 典型电路设计
二、关键参数选型：
1. RT1：要求节点设备在最大平均功耗的情况下 R 总线与 RT1 的压降 0.5~1V 左右的前提下尽可能大以减小 E1 冲击电流；（ R 总 线 +RT1 ） MAX= 0.5/I 平均电流 ；例如 RVS 2*1.5 双绞线 200m 线阻为 3 Ω ， 节 点 功 耗 50mA ， 则 RT1=0.5V/0.05A-3Ω=7Ω，取值 5-10Ω。
2. E1：假设节点最小工作电压 Vm、总线端口电压 Vz、最大工作电流 Im；根据△U*C=I*△T，求得 C= I*△T/△U；其中△ U=Vz-Vm， △T=回码时间，求得 E1 的容值 C；（此处应考虑耐压值，24V 系统选择 35V 耐压，36V 系统选择 50V 耐压）。
3. D1：建议使用 TMBS4S1 或 MMBD7000，不可使用肖特基二极管。
4. VD1：可采用 IN4148 或 SS14/IN5819，负载电流小可采用 IN4148，负载电流超过 100mA 建议使用开关速度更快的肖特基二极管 SS14/IN5819。
5. C5，C6：与电阻 RT1 构成 RC 滤波电路，滤除串扰至总线上的干扰，C5，C6 建议取值 270pF。
TC100B 典型电路设计
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