TP65H050WS 650V,50MΩ氮化镓(GaN)场效应晶体管是一种通常关闭的器件。它结合了最先进的高压氮化镓HEMT和低压硅MOSFET技术,提供了卓越的可靠性和性能。通过更低的栅极电荷、更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷,TransphormGan提供了比硅更高的效率。
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