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隔离器
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隔离器是一种采用线性光耦隔离原理，将输入信号进行转换输出。
FXWA9306 双通道双向I2C总线和和SMBus总线电压 - 电平转换器
FXWA9306是一款双通道，双向，我 2 ç总线和SM总线，电平转换器，带一个使能（OE）输入，工作电压1.0V至3.6V（V CCA ）及1.8V至5.
FXMAR2104 双电源 4位电源转换器/隔离器 用于漏极开路和推挽式应用
FXMAR2104是一款4位高性能可配置双电压电源漏极开路转换器，可在广泛的输入和输出电压电平范围内提供双向电压转换。同时，FXMAR2104还可在推挽式环境
NLSX4401DFT2G 1位20 Mb / s双电源电平转换器
NLSX4401是一款1位可配置双电源双向自适应传感转换器，不需要方向控制引脚.I / O VCC和I / O VL端口分别用于跟踪两个不同的电源轨，VCC和
NLSX4378A 电平转换器 4位 24 Mbps 双电源
NLSX4378A是一款4位可配置双电源双向自动感应转换器，不需要方向控制引脚。 V CC I / O和V L I / O端口设计用于跟踪两个不同的电
FSV10120V 10 A 120 V超低VF肖特基整流器
FSV10120V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FSV10100V 10 A 100 V超低VF肖特基整流器
FSV10100V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FFSH1065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSH4065BDN-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FSV10150V 10 A 150 V超低VF肖特基整流器
FSV10150V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FSV1060V 10 A 60 V超低VF肖特基整流器
FSV1060V肖特基整流器具有突破性尺寸和性能。该器件针对移动充电器应用进行了优化。在充电器设计中，高温条件下该器件仅灌入13 mA的反向电流，并在1 A工
FSV1045V 10 A 45 V超低VF肖特基整流器
FSV1045V肖特基整流器具有突破性尺寸和性能。该器件针对移动充电器应用进行了优化。在充电器设计中，高温条件下该器件仅灌入18 mA的反向电流，并在1 A工
FSV12100V 12 A 100 V超低VF肖特基整流器
FSV12100V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
FFSP2065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSH5065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FSV240AF 表面贴装肖特基势垒整流器
FSV240AF 特性 低正向压降：0.5 V最大值（2 A，TA = 25°C时） 超薄型 - 最高1.0 mm
FFSB2065BDN-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSP1065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSP3065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FFSH2065B-F085 汽车碳化硅（SiC）肖特基二极管 650 V
碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。无反向恢复电流，温度无关的开关特性，以及出色的热性能使碳化硅成为下一代功
FSV20150V 20 A 150 V超低VF肖特基整流器
FSV20150V 特性 超低正向压降 较低热阻 极薄的外形：典型高度为1.1 mm 沟道肖特基技术
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