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嵌入式处理器和控制器
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处理器主要包括运算器和高速缓冲存储器及实现它们之间联系的数据、控制及状态的总线。它与内部存储器和输入/输出设备合称为电子计算机三大核心部件。
LTC4291-1 4 端口 IEEE 802.3bt PoE PSE 控制器
优势和特点 四个 PSE 端口 每个端口有两个电源通道 完全符合 IEEE 802.3bt 3 类和 4 类标准的 PSE 针对 1 类、2 类、3
LTC1710 SMBus 双单片式高压侧开关
优势和特点 两个 0.4Ω/300mA N 沟道开关 采用 MS8 和 SO-8 封装 可兼容 SMBus 和 I2C 针对 DATA 和 CLK 的 0.6
ADP3631 高速、双通道、2 A MOSFET驱动器
优势和特点 与业界标准兼容的引脚排列 高电流驱动能力 精密阈值关断比较器 欠压闭锁(UVLO)和迟滞功能 过温警告信号 过温关断 3.3 V兼容输入 上升时间
LTC1155 双通道、高端微功率 MOSFET 驱动器
优势和特点 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET8μA 待机电流85μA 导通电流短路保护宽电源范围:4.5V 至 18V受控接通和关断时间无外部充电泵组件可
LT1910 受保护的高端 MOSFET 驱动器
优势和特点 8V 至 48V 电源范围提供了针对 –15V 至 60V 电源瞬变的保护具短路保护功能自动再起动定时器集电极开路故障标记全面强化了 N 沟道 MO
LTC1165 三通道、1.8V 至 6V 高压侧 MOSFET 驱动器
优势和特点 工作范围从 1.8V 至 6V0.01μA 待用电流每个通道的工作电流为 95μA (在 3.3V)全面强化了 N 沟道开关无外部充电泵组件内置栅极
LTC1157 3.3V、双通道、微功率、高压侧 / 低压侧 MOSFET 驱动器
优势和特点 可提供最低压降 3.3V 电源切换可依靠 3.3V 或 5V 标称电源工作3μA 待用电流80μA 导通电流驱动低成本 N 沟道功率 MOSFET无
ADP3629 高速、双通道、2 A MOSFET驱动器,具有反相A/B输入引脚
优势和特点 与业界标准兼容的引脚排列 高电流驱动能力 精密阈值关断比较器 欠压闭锁(UVLO)和迟滞功能 过温警告信号 过温关断 3.3 V兼容输入 上升时间
ADP3630 高速、双通道、2 A MOSFET驱动器
优势和特点 与业界标准兼容的引脚排列 高电流驱动能力 精密阈值关断比较器 欠压闭锁(UVLO)和迟滞功能 过温警告信号 过温关断 3.3 V兼容输入 上升时间
LTC1154 高压侧微功率 MOSFET 驱动器
优势和特点 全面强化了 N 沟道功率 MOSFET8μA IQ 待机电流85μA IQ 接通电流无外部充电泵电容器电源范围:4.5V 至 18V短路保护功能利用
ADP3650 双通道自举式12 V MOSFET驱动器,内置输出禁用功能
优势和特点 一体化同步降压驱动器自举式高端驱动一个PWM信号产生两个驱动信号防交叉传导保护电路OD 引脚可禁用驱动器输出 产品详情 ADP3650是一款双通道、
ADP3654 高速、双通道、4 A MOSFET驱动器
优势和特点 兼容工业标准的引脚排列 大电流驱动能力 精密UVLO比较器,带迟滞功能 3.3 V 兼容输入 负载为2.2 nF时的上升时间和下降时间:10 ns
ADM1073 -48 V全功能热插拔控制器
优势和特点 精密涌入线性电流限值 可调软启动涌入电流限值特性分析 电流限值具有精密的最大导通时间 最大导通时间经FET漏极电压调制,可提供额外的SOA保护 可
LT1640A 热插拔负压控制器
优势和特点 可将电路板安全地从带电的 -48V背板中插入或拔出 工作电压范围:-10V 至 -80V 可设置浪涌电流 容许 50mA 反向漏极引脚电流 可设置
LTC7003 快速、60V 保护、高压侧 NMOS 静态开关驱动器
优势和特点 宽工作 VIN 范围:3.5V 至 60V 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉用于实现快速接通和关断时间及 35ns 传播延迟 内部充电泵用于提供 100
LTC4449 高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
优势和特点 4V 至 6.5V VCC 工作电压 38V 最大输入电源电压 自适应贯通保护 轨至轨输出驱动器 3.2A 峰值上拉电流 4.5A 峰值
LTC4444-5 高电压同步 N 沟道 MOSFET 驱动器
优势和特点 自举电源电压至 114V 宽 VCC 电压:4.5V 至 13.5V 自适应贯通保护功能 1.4A 峰值顶端栅极上拉电流 1.75A 峰值
LTC1693 高速单路 / 双路 N 沟道 MOSFET 驱动器
优势和特点 采用 SO-8 封装的双路 MOSFET 驱动器或采用 MSOP 封装的单路 MOSFET 驱动器双路驱动器之间的 1GΩ 电隔离允许高压侧 / 低
LTC1163 三通道、1.8V 至 6V 高压侧 MOSFET 驱动器
优势和特点 工作范围从 1.8V 至 6V0.01μA 待用电流每个通道的工作电流为 95μA (在 3.3V)全面强化了 N 沟道开关无外部充电泵组件内置栅极
LTC4251 采用 SOT-23 封装的负电压热插拨控制器
优势和特点 允许电路板在带电的 -48V 背板上安全地插入和拨出浮置拓扑结构允许器件在极高的电压下工作采用电路断路器定时器的可编程模拟限流快速响应时间限制了峰值
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