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智能功率模块助力业界加速迈向基于碳化硅（SiC）的电动汽车
2020-11-07
2615
相对于硅（Si）和碳化硅（SiC），GaN有哪些优势
2020-12-07
4283
深度解读IGBT 双面冷却散热优势
2021-02-27
1.5w
IGBT短路保护之退饱和即Desat概念
2021-03-01
6.5w
一文解读IGBT驱动设计中的热设计方案
2021-02-27
8407
如何在电动汽车系统中实现SiC FET设计
2021-03-04
3174
基于GaN的PFC整流器及GaN无桥PFC拓扑、控制和性能
2021-03-09
5276
基于回路热管（LHP）技术繁荣大功率电子被动冷却方案
2021-03-09
6620
Nexperia均流技术的并行MOSFET设计应用
2021-03-12
6282
为什么需要注意SiC MOSFET栅极？
2021-03-11
3579
盘点MOSFET技术 MOS在电路中的常见应用
2021-03-18
1w
为什么选择氮化镓？浅谈氮化镓在数据中心的应用
2021-03-21
6910
探讨1,200-V 300-A SiC MOSFET对开关频率的影响
2021-03-19
8865
GaN-HEMT器件的动态R DSon值测量实验分析
2021-03-22
1.3w
意法半导体推出工作电源电压高达1200V的隔离式栅极驱动器STGAP2SiCS
2021-03-22
4681
如何在不使用变压器的情况下设计大功率系统
2021-03-26
5468
SiC肖特基二极管器件设计方案解析
2021-03-27
6914
为什么GaN FET是LLC转换器设计的最佳选择
2021-03-31
4210
功率GaN晶体管中的散热设计指南
2021-04-01
6067
飞兆半导体的超结MOSFET和IGBT SPICE模型解读
2021-04-02
6276
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