CMPA0060002 是一种基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 采用分布式（行波）放大器设计方法；可以在很小的空间内实现极宽的带宽。提供裸片和带有铜钨散热器的旋入式封装。
特征
17 dB 小信号增益
3 W 典型 PSAT
工作电压高达 28 V
高击穿电压
高温操作
应用
超宽带放大器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器
CMPA0530002S
CMPA0060002F1-AMP
CMPA0060002F1
CMPA0060002F-AMP
CMPA0060002F
CMPA0060002D
CMPA0527005F
CMPA0527005F-AMP1
CGHV1F006S-AMP3
CGHV1F006S-AMP1
CGHV1F006S
CGH40006S-AMP1
CGH40006P-AMP
CGH40006S
CGH40006P
CGHV1J006D-GP4
CGH60008D-GP4
CG2H40010F-AMP
CGH40010F-AMP
CG2H40010F
CGH40010F
CG2H40010P
CGH40010P
CGH55015F2-AMP
CGH55015P2