CGHV1J006D 是碳化硅衬底上的高压氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；使用 0.25-μm 栅极长度的制造工艺。这种 GaN-on-SiC 产品提供卓越的高频；高效率的特点。它非常适合在 40 V 和高击穿电压下工作在 10 MHz 至 18 GHz 的各种应用。
特征
17分贝典型。10 GHz 时的小信号增益
60% 典型值。10 GHz 时的 PAE
6 W 典型 Psat
40 伏操作
高达 18GHz 的操作
应用
卫星通信
PTP 通信链接
海洋雷达
游艇雷达
港口船舶交通服务
宽带放大器
高效放大器
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