简介
今天我要向大家介绍的是 Semelab 的硅 DMOS RF FET 晶体管——D2089UK。这是一款专为 HF/VHF/UHF 通信频段（DC 至 2 GHz）设计的单端式射频功率场效应管，在 28V 工作电压、2 GHz 频率下可提供 1W 的输出功率。作为一款高性能射频器件，它具备极低的反向传输电容（典型值 0.5 pF）和低噪声特性，极大简化了放大器设计；其简单的偏置电路与优异的宽带适用性，确保了在各类射频应用中实现高效稳定的运行；具有低 Crss、高增益及低噪声等特性，是 HF/VHF/UHF 通信、宽带射频放大及工业通信设备的理想选择。
主要特性
类型：硅 DMOS RF FET（单端式/SINGLE ENDED，金属栅极，金金属化）
工作条件：VDS = 28V，IDQ = 75mA，f = 2 GHz
输出功率：1W（在 2 GHz 下）
功率增益：高增益（具体值未明确标注，但文档标注为“HIGH GAIN”）
漏源击穿电压：65V
反向传输电容（Crss）：典型值 0.5 pF
热阻：结到外壳最大 30°C / W
工作/存储温度：-65°C 至 150°C（存储温度），最高结温 200°C
应用
HF/VHF/UHF 通信系统（DC 至 2 GHz）
宽带射频放大器应用
简化设计的射频功率放大模块
工业及要求高增益、低噪声的射频发射设备
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