C3M0015065D碳化硅MOSFET业界最低的通态电阻和开关损耗，可实现最高效率和功率密度，通过推出第三代 650 V MOSFET 扩展了其碳化硅 (SiC) 技术的领先地位；启用更小；打火机; 在更广泛的电力系统中实现高效的电源转换。650 V MOSFET 产品系列非常适合包括高性能工业电源在内的应用；服务器/电信电源；电动汽车充电系统；储能系统；不间断电源；和电池管理系统。
好处
更高的系统效率
降低冷却要求
提高功率密度
提高系统开关频率
易于并联且易于驱动
启用新的硬开关 PFC 拓扑（图腾柱）
特征
第三代 SiC MOSFET 技术
高阻断电压和低导通电阻
低电容的高速开关
具有低反向的快速本征二极管
应用
电动汽车充电
太阳能光伏逆变器
UPS
开关电源
DC/DC 转换器
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