CG2H40035P高电子迁移率晶体管 (HEMT)

型号: CG2H40035P

--- 产品参数 ---

公司logo

立年电子科技

6.9k內容 |  64w+浏览量  |  90粉丝

+关注

--- 产品详情 ---

CG2H40035 是无与伦比的;氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。CG2H40035;从 28 伏电压轨运行;提供一般用途;适用于各种射频和微波应用的宽带解决方案。GaN HEMT 提供高效率;高增益和宽带宽能力使 CG2H40035 成为线性和压缩放大器电路的理想选择。晶体管可用于旋入式;法兰封装和焊接;药丸包。

CG2H40035P

 

 

特征

高达 6 GHz 的操作

40 W 典型 PSAT

PSAT 的效率为 64%

3.5 GHz 时 14 dB 小信号增益

28 伏操作

 

 

应用

2路私人收音机

宽带放大器

蜂窝基础设施

测试仪器

A类;乙; 适用于OFDM的线性放大器;W-CDMA;边缘; CDMA波形

 

相关型号

CG2H40035P

CG2H40045F

CG2H40045F-AMP

CG2H40045P

CG2H40120F

CG2H40120F-AMP

CG2H40120P

CG2H80015D-GP4

CG2H80030D-GP4

CG2H80045D-GP4

CG2H80060D-GP4

CG2H80120D-GP4

CGH09120F

CGH21120F

CGH21120F-AMP

CGH21240F

CGH21240F-AMP

CGH25120F

CGH27015F

CGH27015F-AMP

CGH27015P

CGH27030F

CGH27030F-AMP

CGH27030P

CGH27030S

CGH27030S-AMP1

CGH27060F

CGH31240F

CGH35015P

CGH35060P1