C3M0065100K提供一系列 1000 V 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对电动汽车充电系统等快速开关设备进行了优化；工业电源；和可再生能源系统。
1000 V 碳化硅 MOSFET 通过提供具有低导通电阻的独特器件解决了许多电源设计挑战；非常低的输出电容；低源电感，完美融合了低开关损耗和低导通损耗。与基于硅的解决方案相比；Wolfspeed 碳化硅功率器件技术可提高系统功率密度；更高的开关频率；减少组件数量；减小电感器等组件的尺寸；电容器；过滤器和变压器。
好处
• 降低开关损耗并最大限度地减少栅极振铃
• 更高的系统效率
• 降低冷却要求
• 提高功率密度
• 提高系统开关频率
特征
• 新的 C3MTM SiC MOSFET 技术
• 具有独立驱动源引脚的优化封装
• 漏极和源极之间的爬电距离为 8mm
• 高阻断电压和低导通电阻
• 低电容的高速开关
• 具有低反向恢复 (Qrr) 的快速本征二极管
• 无卤素，符合 RoHS 标准
应用
• 再生能源
• 电动汽车电池充电器
• 高压 DC/DC 转换器
• 开关模式电源
相关型号
C3M0065100K C3M0075120D-A
C3M0120100J C3M0075120K-A
C3M0120100K E3M0075120K
C3M0016120D E3M0075120D
C3M0016120K C3M0075120D
C3M0021120D C3M0075120J
C3M0021120K C3M0075120K
C2M0025120D C2M0080120D
C3M0032120J1 C3M0160120J
C3M0032120D C3M0160120D
C3M0032120K C2M0160120D
C3M0040120J1 C2M0280120D
C3M0040120D C3M0350120J
C3M0040120K C3M0350120D
C2M0040120D C2M1000170D