CGH21120F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为高效率而设计；高增益和宽带宽能力；这使得 CGH21120F 非常适合 1.8 – 2.3-GHz WCDMA 和 LTE 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
特征
1.8 – 2.3 GHz 操作
15分贝增益
-35 dBc ACLR，20 W PAVE
20 W PAVE 时效率为 35 %
可应用高度 DPD 校正
应用
码分多址
LTE
WiMAX
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