CGH25120F 是一种氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，专为实现高效率而设计；高增益和宽带宽能力；这使得 CGH25120F 成为 2.3-2.7GHz WiMAX 的理想选择；LTE 和 BWA 放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
特征
2.3 – 2.7 GHz 操作
13分贝增益
20 W PAVE 时 -32 dBc ACLR
20 W PAVE 时效率为 30 %
可应用高度 DPD 校正
应用
MC-GSM；WCDMA 和 LTE 放大器
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