CGH35240F 是一款专为高效设计的氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT)；高增益和宽带宽能力；这使得 CGH35240F 非常适合 3.1 – 3.5-GHz；S波段；雷达放大器应用。该晶体管采用陶瓷/金属法兰封装。
特征
3.1 – 3.5 GHz 操作
240 W 典型输出功率
11.6 dB 功率增益在 PIN = 42.0 dBm
57% 的典型功率附加效率
50 欧姆内部匹配
<0.2 dB 脉冲幅度下降
应用
S 波段雷达放大器
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