CMPA1D1E025F 是基于氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 的单片微波集成电路 (MMIC)，位于碳化硅衬底上；使用 0.25-μm 栅极长度制造工艺。与硅相比，GaN-on-SiC 具有更优越的性能；砷化镓或 GaN-on-Si；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。此 Ku Band MMIC 有 10 引脚可供选择；25 毫米 x 9.9 毫米；金属/陶瓷法兰封装，以获得最佳的电气和热性能。
特征
24 dB 小信号增益
40 W 典型脉冲 PSAT
工作电压高达 40 V
OQPSK 下的 20 W 线性功率
A/B类高增益；高效率50欧MMIC Ku波段大功率放大器
应用
卫星通信上行
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