CMPA2060035 是一种基于氮化镓 (GaN) HEMT 的单片微波集成电路 (MMIC)。GaN与硅或砷化镓相比具有优越的性能；包括更高的击穿电压；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与 Si 和 GaAs 晶体管相比，GaN HEMT 还提供更高的功率密度和更宽的带宽。该 MMIC 包含两级无功匹配放大器设计方法，可在小尺寸内实现非常宽的带宽。提供裸片和带有铜钨散热器的旋入式封装。
特征
28 dB 小信号增益
35 W 典型 PSAT
工作电压高达 32 V
高击穿电压
高温操作
应用
超宽带驱动器
光纤驱动器
测试仪器
EMC 放大器驱动器
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