GTRA260502M是一种50瓦(P3dB)的GaN on SiC高电子迁移率用于多标准蜂窝功率放大器应用程序。它具有输入匹配、效率高、热增强等特点DFN SMD包装。
特征
GaN on SiC HEMT技术
典型脉冲连续波性能:10 μs脉宽，
10%占空比，2690 MHz, 48v, Doherty配置
效率= 64%
输出功率P3dB = 50 W
人体模型1A类(根据ANSI/ESDA/JEDEC
低的热阻
无铅，符合RoHS要求
应用
蜂窝功率放大器
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