描述
GTVA123501FA 是一款 350 瓦 GaN on SiC 高电子迁移率晶体管 (HEMT)，用于 1200 至 1400 MHz 频段。它具有输入匹配功能；高效率; 以及带有无耳法兰的热增强型表面贴装封装。
特征
宽带内部输入匹配；
典型的脉冲连续波性能；1200 – 1400 兆赫；50V；
输出功率350W；
排水效率 70 %；
增益 18 分贝；
脉冲宽度 300 μs；
占空比 10%；
无铅且符合 RoHS 标准
应用
L 波段雷达放大器
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