FDD5810-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: FDD5810-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

产品简介:
FDD5810-VB是VBsemi品牌推出的N沟道场效应管,具有60V的漏极-源极电压承受能力和45A的漏极电流容量。该器件采用TO252封装,具有优良的导热性和机械强度,适用于各种功率电子应用。

详细参数说明:
- 沟道类型:N沟道
- 额定漏极-源极电压(VDS):60V
- 额定漏极电流(ID):45A
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=10V
- 静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):24mΩ @ VGS=20V
- 阈值电压(Vth):1.8V

适用领域和模块举例:
1. 电源模块:FDD5810-VB可以作为开关电源模块中的功率开关器件,用于控制输出电压和电流,保证电源稳定输出。
2. 电动工具:在电动工具中,FDD5810-VB可以作为电机驱动器件,控制电机的启停和转速,提供高效的功率传输。
3. 电动车辆:用于电动车辆中的电动驱动系统,FDD5810-VB能够提供高效、可靠的电力转换和控制,提升车辆性能和能效。
4. 工业自动化:在工业自动化领域中,FDD5810-VB可用于各种电机驱动、变频器等控制电路,实现精确的运动控制和能量管理。
5. LED照明:作为LED照明驱动器件,FDD5810-VB可以控制LED灯的亮度和稳定性,提高照明系统的效率和可靠性。

--- 数据手册 ---