140N8F7-VB一款N-Channel沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 140N8F7-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介:

140N8F7-VB 是一款单N沟道场效应管(MOSFET),具有80V的漏极-源极电压(VDS),20V的栅极-源极电压(VGS,±V),3V的阈值电压(Vth),8.7mΩ@VGS=4.5V和6.4mΩ@VGS=10V的导通电阻(RDS(ON)),以及75A的漏极电流(ID)。采用了Trench工艺。适用于中压、高电流的应用场合。

### 参数说明:

- **Package:** TO220F
- **Configuration:** Single-N-Channel
- **VDS(漏极-源极电压):** 80V
- **VGS(栅极-源极电压,±V):** 20V
- **Vth(阈值电压):** 3V
- **RDS(ON)(导通电阻):** 8.7mΩ@VGS=4.5V,6.4mΩ@VGS=10V
- **ID(漏极电流):** 75A
- **Technology(工艺):** Trench

### 应用示例:

1. **电源模块:** 140N8F7-VB 可用于中压、高电流的电源模块中,如电源适配器、UPS等,以提供稳定的电压和电流输出。

2. **电机驱动:** 适用于中压、高电流的电机驱动系统中,如电动汽车驱动、工业电机驱动等。

3. **电源开关:** 可用作中压、高电流的电源开关,如高效率电源开关、电动工具开关等。

4. **照明控制:** 适用于中压、高电流的照明控制系统中,如LED照明、舞台照明等。

5. **电池管理:** 可用于中压、高电流的电池管理系统中,实现对电池的充放电控制和保护。

以上仅为一些典型应用示例,实际应用取决于具体设计要求和环境。

--- 数据手册 ---