### 产品简介
**28NM50N-VB**是一款单N沟道MOSFET，由VBsemi生产，采用TO220封装。这款MOSFET具有500V的漏源电压（VDS）和30V（±）的栅源电压（VGS）。其开启阈值电压（Vth）为3.5V，导通电阻（RDS(ON)）在栅源电压为10V时为140mΩ，最大漏极电流（ID）为30A。采用SJ_Multi-EPI技术，适用于各种高压高功率应用场景。
### 详细参数说明
| 参数 | 规格 |
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| 封装类型 | TO220 |
| 配置 | 单N沟道 |
| 漏源电压（VDS） | 500V |
| 栅源电压（VGS） | 30V（±） |
| 开启阈值电压（Vth） | 3.5V |
| 导通电阻（RDS(ON)） | 140mΩ@VGS=10V |
| 最大漏极电流（ID） | 30A |
| 技术 | SJ_Multi-EPI |
### 应用领域和模块
1. **电源逆变器**：28NM50N-VB MOSFET适用于电源逆变器，如太阳能逆变器和风力发电逆变器。其高漏源电压和电流能力使其能够处理高功率的直流-交流转换。
2. **电动汽车充电桩**：在电动汽车充电桩中，28NM50N-VB MOSFET用于直流充电桩的功率转换和控制。其高压和高电流能力确保充电过程的高效率和稳定性。
3. **高压电源模块**：在需要高压稳定输出的电源模块中，28NM50N-VB MOSFET可以用作开关元件。其高漏源电压和低导通电阻能力使其能够提供稳定可靠的高压电源输出。
4. **感应加热设备**：在感应加热设备中，如感应炉和感应加热器，这款MOSFET可以用于高功率开关控制。其高电流和高功率特性使其能够提供高效的感应加热效果。
5. **电力传输**：在电力传输和分配系统中，28NM50N-VB MOSFET可以用于开关控制和保护。其高压和高电流能力使其能够处理电力系统中的高压和高功率要求。