STB15810是ST意法半导体生产的一款N沟道增强型场效应管，其详细参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：100V；
- 漏极电流（Id）：250W；
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：3.4mΩ@10V,55A；
- 栅源电压（Vgs）：117nC@0~10V；
- 栅极电荷（Qg）：117nC@0~10V；
- 反向恢复时间：-；
- 最大耗散功率：250W；
- 配置类型：-；
- 工作温度范围：-55℃~+175℃；
- 安装类型：表面安装型；
- 应用领域：汽车电子、网络通信、安防设备等。
N沟道场效应管STB15810(100V/110A)
型号:
STB15810
品牌:
ST(意法)