N沟道贴片场效应管STD85N3LH5/30V/80A

型号: STD85N3LH5
品牌: ST(意法)

--- 产品参数 ---

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优起辰电子

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--- 产品详情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

产品种类:  MOSFET  

RoHS:   Yes

技术:  Si 

安装风格:  SMD/SMT 

封装 / 箱体:  DPAK-3 (TO-252-3) 

晶体管极性:  N-Channel 

通道数量:  1 Channel 

Vds-漏源极击穿电压:  30 V 

Id-连续漏极电流:  80 A 

Rds On-漏源导通电阻:  5 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压:  - 22 V, + 22 V 

最小工作温度:  - 55 C 

最大工作温度:  + 175 C 

Pd-功率耗散:  70 W 

通道模式:  Enhancement 

商标:  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降时间:  10.8 ns 

高度:  2.4 mm 

长度:  6.6 mm 

产品类型:  MOSFETs 

上升时间:  14 ns 

系列:  STD85N3LH5 

包装数: 2500 

子类别:  Transistors 

晶体管类型:  1 N-Channel 

典型关闭延迟时间:  23.6 ns 

典型接通延迟时间:  6 ns 

宽度:  6.2 mm 

单位重量:  330 mg 

--- 数据手册 ---