N沟道场效应管STD60NF06T4/60V/60A

型号: STD60NF06T4
品牌: ST(意法)

--- 产品参数 ---

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优起辰电子

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--- 产品详情 ---

制造商:  STMicroelectronics 

产品种类:  MOSFET 

RoHS:  Yes 

技术:  Si 

安装风格:  SMD/SMT 

封装 / 箱体:  DPAK-3 (TO-252-3) 

晶体管极性:  N-Channel 

通道数量:  1 Channel 

Vds-漏源极击穿电压:  60 V 

Id-连续漏极电流:  60 A 

Rds On-漏源导通电阻:  14 mOhms 

Vgs - 栅极-源极电压:  - 20 V, + 20 V 

Vgs th-栅源极阈值电压:  2 V 

Qg-栅极电荷:  66 nC 

最小工作温度:  - 55 C 

最大工作温度:  + 175 C 

Pd-功率耗散:  110 W 

通道模式:  Enhancement 

商标:  STMicroelectronics 

配置:  Single 

下降时间:  20 ns 

正向跨导 - 最小值:  20 S 

高度:  2.4 mm 

长度:  6.6 mm 

产品类型:  MOSFETs 

上升时间:  108 ns 

系列:  STD60NF06 

包装数: 2500 

子类别:  Transistors 

晶体管类型:  1 N-Channel 

类型:  MOSFET 

典型关闭延迟时间:  43 ns 

典型接通延迟时间:  16 ns 

宽度:  6.2 mm 

单位重量:  330 mg 

--- 数据手册 ---