大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
基础信息
- 门极触发:VGT、IGT
- 维持电流:IH、IL
- 阻断参数:VD、VR、ID、IR
- 压降参数:VTM、ITM
- 电压上升率:dv/dt
- 电流变化率:di/dt
- 关断时间:Tq
- 恢复电荷:Qr、Irr、Trr
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
主要量程
- 阳极电压:12V
- 阳极串联电阻:12Ω
- 门极触发电压:0.3—5.00V
- 门极触发电流:1—500mA
- 维持电流:1—500mA
- 擎住电流:5—1000mA
- 通态电流:600—8000A
- 通态压降:0.3—9.99V
- 阻断电压:200—8000V
- 正反向漏电流:1—250mA
- dv/dt箝位电压VDM:500~4KV
- 电压上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
- 通态电流:200—2000A
- 反向电压:50—200V
- 再加电压:500—3000V
- 关断时间:4—1500μS
- 反恢电荷:200μQ—15000μQ
- 再加电压上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS
- di/dt:10A/μS、20A/μS
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
气动夹具
- 压力方式:气压
- 压力范围:10~60KN
- 压力分辨率:0.1KN
- 控温范围:70~180℃
- 控温精度:70℃—125℃±1.0℃
- 控温精度:125℃—180℃±1.5℃
- 温度分辨率:0.1℃
- 夹头耐压:10KV
- 夹头行程:≥80mm
- 台面直径:大于Φ130mm
- 夹头找平:≥1mm
- 夹头平面度:≤20μm
- 导柱间跨距:≥310mm
- 夹头最大电流:10000A
- 夹头极性:上为阴极,下为阳极
- 采样:上下夹头采样顶针同轴
- 电源:AC50HZ/220V功率≤5KW
- 夹具可安装适配器,应对不同封装
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
系统单元
- 门极触发参数测试单元
- 维持电流测试单元
- 擎住电流测试单元
- 阻断参数测试单元
- 通态压降参数测试单元
- 电压上升率参数测试单元
- 关断时间参数测试单元
- 恢复电荷参数测试单元
- 自动热稳态压力夹具
- 10计算机控制系统
- PLC控制系统
大功率可控硅静态动态参数综合测试系统SCRD8000
性能指标
通态压降测试
- 通态电流:600—8000A±3%±10A
- 通态压降:0.3—9.99V±3%±10mV
- 电流达到电流峰值的时间:≥5ms
- 可测设定前沿电流和后沿电流的压降。可测门槛电压和斜率电阻
- (此功能由单独“通态特性曲线”测试程序完成)
- 测试频率:单次
- 计算机显示:ITM/IFM,VTM/VFM数值
dv/dt测试
- dv/dt箝位电压VDM:500—4000V,数码设定,数字表显示
- dv/dt箝位电压VDM静态精度:±5%
- 电压上升率:200V/μS、500V/μS、1000V/μS、1500V/μS
- 电压上升率误差:±10%(在再加电压2000V(负载电容2.2nF)下作为考核点)最大过压时间超过0.5us的瞬态电压<200V
- 信号指示:具有测试信号指示、通过指示、失败指示
- 测试频率:约0.5HZ;电压近似线性上升率"
高压伏安特性
- 阻断电压:200—8000V±3%±10V
- 电压分辨率:0.01KV
- 正反向漏电流:1—250mA±3%±0.1mA
- 正反向漏电流分辨率:0.1mA
- 显示阻断特性曲线,设备有输出电压和电流保护功能
- 测试频率:5或50HZ
- 电压调节:手动调节计算机显示阻断电压和漏电流数值
门极触发特性
- 阳极电压:12V
- 阳极串联电阻:12Ω
- 门极触发电压:0.3—5.00V±5%±10mV
- 门极触发电流:1—500mA±5%±1mA
- 测试频率:单次计算机显示VGT、IGT数值
擎住电流
- 阳极电压:12V
- 擎住电流:5—1000mA±5%±1mA
- 计算机显示:IL数值
维持电流
- 阳极电压:12V
- 维持电流:1—500mA±5%±1mA
- 测试频率:单次预导通电流:约10A、20A和40A三档
- 计算机显示:IH数值
关断时间及恢复电荷
- 通态电流:200—2000A±5%(数码设定)
- 脉宽4Ms
- 反向电压:50—200V
- 反向设定电压静态精度±5%(数码设定)
- 再加电压:500—3000V
- 再加电压静态设定精度±5%(数码设定)
- 关断时间:4—1500μS±5%±1μS
- 反向恢复电荷:大于200μQ—15000μQ±5%±50μQ
- 重复性:快速晶闸管±50μQ;普通晶闸管±100μQ
- 再加电压上升率:30V/μS、50V/μS、100V/μS三档
- ±10%再加电压在1000V(负载电容2.2nF)下作为考核点
- 电压上升率按指数法计算
- 反向电流di/dt:10A/μS、20A/μS,精度±15%,电流在 1500A下作为考核点。
- 测试频率:约0.5HZ
- 配有电压电流的校验程序(仅供校验用)