晶体管正向偏置安全工作区测试系统

型号: ST-FBSOA_X

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陕西天士立科技有限公司

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--- 产品详情 ---

 

晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X

基础信息

  1. Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOS-FET的FBSOA(正向偏置安全工作区)测试 
  2. FBSOA和对应的IV曲线 
  3. ICE电流0~1000A 
  4. VCE电压0~100V
  5. VGE驱动电压0~30V 
  6. VMNF热敏电压≤5V
  7. Pmax功率100KW
  8. 脉宽10us~10ms
  9. 柜式结构,气动安全(支持手动式)工装柜,计算机程控

 

 

晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X

FBSOA定义

  1. 该图是简版FBSOA曲线,划定了四条电压-电流关系的边界线,分别是AB段,BC段,CD段,DE段
  2. AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的zd工作电流,这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值相关,从图看出,IGBT 门极驱动电压幅值越高,饱和导通状态下的zd工作电流越大
  3. BC段是IGBT max可重复电流ICpuls,是4倍标称电流
  4. CD段需结合IGBT瞬态热阻看。IGBT有线性区和饱和区
  5. 跨AB段后,其IGBT处于线性区了,也就退出饱和导通区, IGBT损耗急剧上升。所以,这条边界体现IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE电压越高,IGBT所能承电流脉冲幅值越低。另外,电流脉宽越大,IGBT所能承受电流幅值也越低
  6. 蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA,均是单脉冲安全工作区,非连续工作情况下的工作区,所以,必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线,由公式(1)计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽
  7. DE段规定了IGBT集射极CE击穿电压,IGBTCE击穿电压是和结温正相关,结温越低,CE击穿电压也越低

 

 

晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X

产品特点

  1. 测试规范:IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023 
  2. 测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供选择,不同封装外观,更换“DUT适配器”即可 
  3. 高温测试,支持室温~200℃,±1℃@0.5℃ 
  4. 计算机程控,测试数据可存储为Excel、PDF。内置多种通用文档模板供用户选择,还可自定义 
  5. 安全稳定(PLC对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁)设备具有安全工作保护功能 
  6. 智能化,计算机进行操控及数据编辑,测试结果自动保存及上传特定局域网,支持MES系统和扫码枪连接
  7. 安全性,防爆,防触电,短路保护等多重保护措施,可以操作人员、设备、数据及样品安全 
  8. 电压源电流源模块化设计,根据需求,自选搭配

 

晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X

 

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